STB19NF20
Symbol Micros:
TSTB19NF20
Obudowa: TO263 (D2PAK)
N-MOSFET 15A 200V 90W 0.16Ω
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 160mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 15A |
| Maksymalna tracona moc: | 90W |
| Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
| Producent: | ST |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STB19NF20
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,3700 |
Producent: ST
Symbol producenta: STB19NF20
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,3706 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 160mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 15A |
| Maksymalna tracona moc: | 90W |
| Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
| Producent: | ST |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |