STB24N60DM2
Symbol Micros:
TSTB24N60DM2
Obudowa: TO263 (D2PAK)
N-MOSFET 18A 650V 150W 0.2Ω
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 200mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 18A |
Maksymalna tracona moc: | 150W |
Obudowa: | D2PAK |
Producent: | ST |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STB24N60DM2
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt.
ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 6,3068 |
Rezystancja otwartego kanału: | 200mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 18A |
Maksymalna tracona moc: | 150W |
Obudowa: | D2PAK |
Producent: | ST |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 25V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |