STB24N60DM2

Symbol Micros: TSTB24N60DM2
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO263 (D2PAK)
N-MOSFET 18A 650V 150W 0.2Ω
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 200mOhm
Maksymalny prąd drenu: 18A
Maksymalna tracona moc: 150W
Obudowa: D2PAK
Producent: ST
Maksymalne napięcie dren-źródło: 650V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ST Symbol producenta: STB24N60DM2 Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)  
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt.
ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 6,3068
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 200mOhm
Maksymalny prąd drenu: 18A
Maksymalna tracona moc: 150W
Obudowa: D2PAK
Producent: ST
Maksymalne napięcie dren-źródło: 650V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 25V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD