STB30NF10
Symbol Micros:
TSTB30NF10
Obudowa: TO263 (D2PAK)
N-MOSFET 35A 100V 115W 0.045Ω STB30NF10T4
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 45mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 35A |
| Maksymalna tracona moc: | 115W |
| Obudowa: | D2PAK |
| Producent: | ST |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STB30NF10T4
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,6051 |
Producent: ST
Symbol producenta: STB30NF10T4
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnetrzny:
11000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,6979 |
Producent: ST
Symbol producenta: STB30NF10T4
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,7656 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 45mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 35A |
| Maksymalna tracona moc: | 115W |
| Obudowa: | D2PAK |
| Producent: | ST |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |