STB42N65M5
Symbol Micros:
TSTB42N65M5
Obudowa: TO263 (D2PAK)
N-MOSFET 33A 650V 190W 0.079Ω
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 0,079Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 33A |
| Maksymalna tracona moc: | 190W |
| Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
| Producent: | ST |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STB42N65M5
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnetrzny:
13000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 24,9735 |
Producent: ST
Symbol producenta: STB42N65M5
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 27,2127 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 0,079Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 33A |
| Maksymalna tracona moc: | 190W |
| Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
| Producent: | ST |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 25V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 155°C |
| Montaż: | SMD |