STB60NF06
Symbol Micros:
TSTB60NF06
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 60V; 20V; 16mOhm; 60A; 110W; -65°C ~ 175°C; Odpowiednik: STB60NF06T4;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 16mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 60A |
| Maksymalna tracona moc: | 110W |
| Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 60V |
Producent: ST
Symbol producenta: STB60NF06T4
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnetrzny:
44000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,0176 |
Producent: ST
Symbol producenta: STB60NF06T4
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,0152 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 16mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 60A |
| Maksymalna tracona moc: | 110W |
| Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |