STB60NF06L
Symbol Micros:
TSTB60NF06L
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 60V; 15V; 16mOhm; 60A; 110W; -65°C ~ 175°C; Odpowiednik: STB60NF06LT4;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 16mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 60A |
Maksymalna tracona moc: | 110W |
Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
Maksymalne napięcie dren-bramka: | 60V |
Producent: ST
Symbol producenta: STB60NF06LT4
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 3,5179 |
Producent: ST
Symbol producenta: STB60NF06LT4
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnetrzny:
18000 szt.
ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 3,2645 |
Producent: ST
Symbol producenta: STB60NF06LT4
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnetrzny:
21000 szt.
ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 3,2615 |
Rezystancja otwartego kanału: | 16mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 60A |
Maksymalna tracona moc: | 110W |
Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
Maksymalne napięcie dren-bramka: | 60V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 15V |
Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 175°C |
Montaż: | SMD |