STB7NK80Z
Symbol Micros:
TSTB7NK80Z
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 1,8Ohm; 5,2A; 125W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: STB7NK80ZT4;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,8Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 5,2A |
| Maksymalna tracona moc: | 125W |
| Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 800V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STB7NK80ZT4 RoHS
Obudowa dokładna: TO263t/r (D2PAK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
8 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 100+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 11,5000 | 9,3600 | 8,1200 | 7,5300 | 7,1900 |
Producent: ST
Symbol producenta: STB7NK80ZT4
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 7,1900 |
Producent: ST
Symbol producenta: STB7NK80ZT4
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 7,1900 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,8Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 5,2A |
| Maksymalna tracona moc: | 125W |
| Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 800V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |