STD10NM60N DPAK
Symbol Micros:
TSTD10nm60n
Obudowa: DPAK
Tranzystor N-MOSFET; 650V; 25V; 550mOhm; 10A; 70W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 550mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 10A |
Maksymalna tracona moc: | 70W |
Obudowa: | DPAK |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Rezystancja otwartego kanału: | 550mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 10A |
Maksymalna tracona moc: | 70W |
Obudowa: | DPAK |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 25V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |