STD1NK60-1
Symbol Micros:
TSTD1NK60-1
Obudowa: TO262 (I2PAK)
Tranzystor N-MOSFET; 600V; 600V; 30V; 8,5Ohm; 1A; 30W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 8,5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1A |
| Maksymalna tracona moc: | 30W |
| Obudowa: | TO262 (I2PAK) |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 600V |
Producent: ST
Symbol producenta: STD1NK60-1 RoHS
Obudowa dokładna: TO262 (I2PAK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
30 szt.
| ilość szt. | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,8100 | 1,1800 | 0,8480 | 0,7420 | 0,6950 |
Producent: ST
Symbol producenta: STD1NK60-1
Obudowa dokładna: TO262 (I2PAK)
Magazyn zewnetrzny:
20250 szt.
| ilość szt. | 600+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,8228 |
Producent: ST
Symbol producenta: STD1NK60-1
Obudowa dokładna: TO262 (I2PAK)
Magazyn zewnetrzny:
2775 szt.
| ilość szt. | 675+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,7676 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 8,5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1A |
| Maksymalna tracona moc: | 30W |
| Obudowa: | TO262 (I2PAK) |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 600V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |