STD1NK60-1

Symbol Micros: TSTD1NK60-1
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO262 (I2PAK)
Tranzystor N-MOSFET; 600V; 600V; 30V; 8,5Ohm; 1A; 30W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 8,5Ohm
Maksymalny prąd drenu: 1A
Maksymalna tracona moc: 30W
Obudowa: TO262 (I2PAK)
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 600V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 600V
Producent: ST Symbol producenta: STD1NK60-1 RoHS Obudowa dokładna: TO262 (I2PAK) karta katalogowa
Stan magazynowy:
30 szt.
ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,8100 1,1800 0,8480 0,7420 0,6950
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Producent: ST Symbol producenta: STD1NK60-1 Obudowa dokładna: TO262 (I2PAK)  
Magazyn zewnetrzny:
2775 szt.
ilość szt. 675+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,7607
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
75
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ST Symbol producenta: STD1NK60-1 Obudowa dokładna: TO262 (I2PAK)  
Magazyn zewnetrzny:
8250 szt.
ilość szt. 600+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,8716
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
75
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 8,5Ohm
Maksymalny prąd drenu: 1A
Maksymalna tracona moc: 30W
Obudowa: TO262 (I2PAK)
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 600V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 600V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT