STD1NK60T4 STMicroelectronics
Symbol Micros:
TSTD1NK60t4
Obudowa: TO252 (DPACK)
N-MOSFET 600V 1A 8.5mΩ 30W
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 8,5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1A |
| Maksymalna tracona moc: | 30W |
| Obudowa: | TO252 (DPAK) |
| Producent: | ST |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 600V |
Producent: ST
Symbol producenta: STD1NK60T4
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
Magazyn zewnetrzny:
250000 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,6495 |
Producent: ST
Symbol producenta: STD1NK60T4
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
Magazyn zewnetrzny:
165000 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,6174 |
Producent: ST
Symbol producenta: STD1NK60T4
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
Magazyn zewnetrzny:
25000 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,6370 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 8,5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1A |
| Maksymalna tracona moc: | 30W |
| Obudowa: | TO252 (DPAK) |
| Producent: | ST |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 600V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |