STD2NK100Z
Symbol Micros:
TSTD2NK100Z
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor N-MOSFET; 1000V; 30V; 8,5Ohm; 1,85A; 70W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 8,5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,85A |
| Maksymalna tracona moc: | 70W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 1000V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STD2NK100Z
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
Magazyn zewnetrzny:
110000 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,2435 |
Producent: ST
Symbol producenta: STD2NK100Z
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
Magazyn zewnetrzny:
27500 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,1801 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 8,5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,85A |
| Maksymalna tracona moc: | 70W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 1000V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |