STD30NF06LT4

Symbol Micros: TSTD30nf06l
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 60V; 20V; 30mOhm; 35A; 70W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: STD30NF06L; STD30NF06LT4-VB; STD30NF06LT4; STD30NF06LT4;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 30mOhm
Maksymalny prąd drenu: 35A
Maksymalna tracona moc: 70W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 60V
Producent: TECH PUBLIC Symbol producenta: STD30NF06LT4 RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r  
Stan magazynowy:
150 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
cena netto (PLN) 7,0300 4,9100 4,0400 3,7600 3,7000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
150
Producent: ST Symbol producenta: STD30NF06LT4 Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)  
Magazyn zewnetrzny:
120000 szt.
ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,7000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ST Symbol producenta: STD30NF06LT4 Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)  
Magazyn zewnetrzny:
150000 szt.
ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,7000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 30mOhm
Maksymalny prąd drenu: 35A
Maksymalna tracona moc: 70W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD