STD35NF06LT4 STMicroelectronics
Symbol Micros:
TSTD35nf06lt4
Obudowa: DPAK
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 60V; 16V; 20mOhm; 35A; 80W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 20mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 35A |
| Maksymalna tracona moc: | 80W |
| Obudowa: | DPAK |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 60V |
Producent: ST
Symbol producenta: STD35NF06LT4
Obudowa dokładna: DPAK
Magazyn zewnetrzny:
17500 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,6210 |
Producent: ST
Symbol producenta: STD35NF06LT4
Obudowa dokładna: DPAK
Magazyn zewnetrzny:
167500 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,4299 |
Producent: ST
Symbol producenta: STD35NF06LT4
Obudowa dokładna: DPAK
Magazyn zewnetrzny:
17500 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,4294 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 20mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 35A |
| Maksymalna tracona moc: | 80W |
| Obudowa: | DPAK |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 16V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |