STD35P6LLF6
Symbol Micros:
TSTD35p6llf6
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 36mOhm; 35A; 70W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 36mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 35A |
Maksymalna tracona moc: | 70W |
Obudowa: | TO252 (DPACK) |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STD35P6LLF6 RoHS
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
40 szt.
ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 6,7800 | 5,4100 | 4,6300 | 4,1600 | 3,9900 |
Producent: ST
Symbol producenta: STD35P6LLF6
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt.
ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 3,9900 |
Producent: ST
Symbol producenta: STD35P6LLF6
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt.
ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 3,9900 |
Producent: ST
Symbol producenta: STD35P6LLF6
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
Magazyn zewnetrzny:
190000 szt.
ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 3,9900 |
Rezystancja otwartego kanału: | 36mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 35A |
Maksymalna tracona moc: | 70W |
Obudowa: | TO252 (DPACK) |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
Montaż: | SMD |