STD35P6LLF6

Symbol Micros: TSTD35p6llf6
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 36mOhm; 35A; 70W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 36mOhm
Maksymalny prąd drenu: 35A
Maksymalna tracona moc: 70W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: ST Symbol producenta: STD35P6LLF6 RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 6,7800 5,4100 4,6300 4,1600 3,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Rezystancja otwartego kanału: 36mOhm
Maksymalny prąd drenu: 35A
Maksymalna tracona moc: 70W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD