STD35P6LLF6
Symbol Micros:
TSTD35p6llf6
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 36mOhm; 35A; 70W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 36mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 35A |
Maksymalna tracona moc: | 70W |
Obudowa: | TO252 (DPACK) |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Rezystancja otwartego kanału: | 36mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 35A |
Maksymalna tracona moc: | 70W |
Obudowa: | TO252 (DPACK) |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
Montaż: | SMD |