STD3NK60Z-1
Symbol Micros:
TSTD3NK60Z-1
Obudowa: IPAK
Tranzystor N-MOSFET; 600V; 30V; 3,6Ohm; 2,4A; 45W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 3,6Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,4A |
| Maksymalna tracona moc: | 45W |
| Obudowa: | IPAK |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STD3NK60Z-1 RoHS
Obudowa dokładna: IPAK
karta katalogowa
Stan magazynowy:
75 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 75+ | 300+ | 1200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,2400 | 1,3600 | 1,0100 | 0,9270 | 0,8950 |
Producent: ST
Symbol producenta: STD3NK60Z-1 RoHS
Obudowa dokładna: IPAK
karta katalogowa
Stan magazynowy:
25 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 25+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,2400 | 1,3400 | 1,1200 | 0,9610 | 0,8950 |
Producent: ST
Symbol producenta: STD3NK60Z-1
Obudowa dokładna: IPAK
Magazyn zewnetrzny:
12510 szt.
| ilość szt. | 525+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,9616 |
Producent: ST
Symbol producenta: STD3NK60Z-1
Obudowa dokładna: IPAK
Magazyn zewnetrzny:
30750 szt.
| ilość szt. | 600+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,9124 |
Producent: ST
Symbol producenta: STD3NK60Z-1
Obudowa dokładna: IPAK
Magazyn zewnetrzny:
14775 szt.
| ilość szt. | 525+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,9435 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 3,6Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,4A |
| Maksymalna tracona moc: | 45W |
| Obudowa: | IPAK |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |