STD3NK80Z-1

Symbol Micros: TSTD3NK80z1
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: IPAK
Tranzystor N-MOSFET; 800V; 800V; 30V; 4,5Ohm; 2,5A; 70W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 4,5Ohm
Maksymalny prąd drenu: 2,5A
Maksymalna tracona moc: 70W
Obudowa: IPAK
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 800V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 800V
Producent: ST Symbol producenta: STD3NK80Z-1 RoHS Obudowa dokładna: IPAK karta katalogowa
Stan magazynowy:
16 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 75+ 150+ 525+
cena netto (PLN) 4,0000 2,5200 1,9100 1,8300 1,7400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
75/525
Producent: ST Symbol producenta: STD3NK80Z-1 Obudowa dokładna: IPAK  
Magazyn zewnetrzny:
5850 szt.
ilość szt. 450+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,7400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
75
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ST Symbol producenta: STD3NK80Z-1 Obudowa dokładna: IPAK  
Magazyn zewnetrzny:
2505 szt.
ilość szt. 375+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,7400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
75
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ST Symbol producenta: STD3NK80Z-1 Obudowa dokładna: IPAK  
Magazyn zewnetrzny:
20250 szt.
ilość szt. 375+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,7400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
75
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 4,5Ohm
Maksymalny prąd drenu: 2,5A
Maksymalna tracona moc: 70W
Obudowa: IPAK
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 800V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 800V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT