STD4NK60ZT4 D-PAK

Symbol Micros: TSTD4NK60zt4
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor N-MOSFET; 600V; 30V; 2Ohm; 4A; 70W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 2Ohm
Maksymalny prąd drenu: 4A
Maksymalna tracona moc: 70W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 600V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ST Symbol producenta: STD4NK60ZT4 RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
60 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,2000 2,0300 1,6000 1,4600 1,3900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Rezystancja otwartego kanału: 2Ohm
Maksymalny prąd drenu: 4A
Maksymalna tracona moc: 70W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 600V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD