STD5N52K3
Symbol Micros:
TSTD5N52K3
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 525V; 30V; 1,5Ohm; 4,4A; 70W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 1,5Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 4,4A |
Maksymalna tracona moc: | 70W |
Obudowa: | TO252 (DPACK) |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 525V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STD5N52K3 RoHS
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 3,6800 | 2,4400 | 2,0200 | 1,8200 | 1,7500 |
Producent: ST
Symbol producenta: STD5N52K3
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,7500 |
Producent: ST
Symbol producenta: STD5N52K3
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,7500 |
Rezystancja otwartego kanału: | 1,5Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 4,4A |
Maksymalna tracona moc: | 70W |
Obudowa: | TO252 (DPACK) |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 525V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |