STD5NK50Z
Symbol Micros:
TSTD5NK50Z
Obudowa: TO252 (DPACK)
N-MOSFET 4.4A 500V 70W 1.5Ω STD5NK50ZT4
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 1,5Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 4,4A |
Maksymalna tracona moc: | 70W |
Obudowa: | TO252 (DPAK) |
Producent: | ST |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 500V |
Maksymalne napięcie dren-bramka: | 500V |
Producent: ST
Symbol producenta: STD5NK50ZT4
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt.
ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,9532 |
Producent: ST
Symbol producenta: STD5NK50ZT4
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
Magazyn zewnetrzny:
20000 szt.
ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,0903 |
Rezystancja otwartego kanału: | 1,5Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 4,4A |
Maksymalna tracona moc: | 70W |
Obudowa: | TO252 (DPAK) |
Producent: | ST |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 500V |
Maksymalne napięcie dren-bramka: | 500V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |