STD5NK50Z

Symbol Micros: TSTD5NK50Z
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252 (DPACK)
N-MOSFET 4.4A 500V 70W 1.5Ω STD5NK50ZT4
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 1,5Ohm
Maksymalny prąd drenu: 4,4A
Maksymalna tracona moc: 70W
Obudowa: TO252 (DPAK)
Producent: ST
Maksymalne napięcie dren-źródło: 500V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 500V
Producent: ST Symbol producenta: STD5NK50ZT4 Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)  
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt.
ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,9532
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ST Symbol producenta: STD5NK50ZT4 Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)  
Magazyn zewnetrzny:
20000 szt.
ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,0903
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 1,5Ohm
Maksymalny prąd drenu: 4,4A
Maksymalna tracona moc: 70W
Obudowa: TO252 (DPAK)
Producent: ST
Maksymalne napięcie dren-źródło: 500V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 500V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD