STD5NM60T4
Symbol Micros:
TSTD5NM60t4
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1Ohm; 5A; 96W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 1Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 5A |
| Maksymalna tracona moc: | 96W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STD5NM60T4 RoHS
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
85 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,8500 | 3,2300 | 2,6700 | 2,4100 | 2,3100 |
Producent: ST
Symbol producenta: STD5NM60T4
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
Magazyn zewnętrzny:
5000 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,3100 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 1Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 5A |
| Maksymalna tracona moc: | 96W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |