STD60NF55L

Symbol Micros: TSTD60NF55L
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 15V; 17mOhm; 60A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: STD60NF55LT4;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 17mOhm
Maksymalny prąd drenu: 60A
Maksymalna tracona moc: 110W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ST Symbol producenta: STD60NF55LT4 RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 7,4600 5,5400 4,8400 4,5000 4,3900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20
Rezystancja otwartego kanału: 17mOhm
Maksymalny prąd drenu: 60A
Maksymalna tracona moc: 110W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 15V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD