STD60NF55L
Symbol Micros:
TSTD60NF55L
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 15V; 17mOhm; 60A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: STD60NF55LT4;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 17mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 60A |
| Maksymalna tracona moc: | 110W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STD60NF55LT4 RoHS
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 7,4600 | 5,5400 | 4,8400 | 4,5000 | 4,3900 |
Producent: ST
Symbol producenta: STD60NF55LT4
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
Magazyn zewnetrzny:
22500 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,3900 |
Producent: ST
Symbol producenta: STD60NF55LT4
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
Magazyn zewnetrzny:
12500 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,3900 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 17mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 60A |
| Maksymalna tracona moc: | 110W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 15V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |