STD7NM60N
Symbol Micros:
TSTD7NM60N
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 900mOhm; 5A; 45W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 900mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 5A |
Maksymalna tracona moc: | 45W |
Obudowa: | TO252 (DPACK) |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STD7NM60N RoHS
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
79 szt.
ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 4,5200 | 3,0000 | 2,4900 | 2,2400 | 2,1500 |
Producent: ST
Symbol producenta: STD7NM60N
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
Magazyn zewnetrzny:
12500 szt.
ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 2,1500 |
Producent: ST
Symbol producenta: STD7NM60N
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
Magazyn zewnetrzny:
77500 szt.
ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 2,1500 |
Rezystancja otwartego kanału: | 900mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 5A |
Maksymalna tracona moc: | 45W |
Obudowa: | TO252 (DPACK) |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 25V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |