STD8N80K5
Symbol Micros:
TSTD8N80K5
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor N-MOSFET; 800V; 30V; 950mOhm; 6A; 110W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 950mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 6A |
| Maksymalna tracona moc: | 110W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 800V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STD8N80K5
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,3165 |
Producent: ST
Symbol producenta: STD8N80K5
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,3143 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 950mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 6A |
| Maksymalna tracona moc: | 110W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 800V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |