STF11NM80
Symbol Micros:
TSTF11NM80
Obudowa: TO220iso
Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 400mOhm; 11A; 35W; -65°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 400mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 11A |
| Maksymalna tracona moc: | 35W |
| Obudowa: | TO220iso |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 800V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STF11NM80 RoHS
Obudowa dokładna: TO220iso
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 9,7500 | 8,1800 | 7,2700 | 6,7100 | 6,5000 |
Producent: ST
Symbol producenta: STF11NM80
Obudowa dokładna: TO220iso
Magazyn zewnetrzny:
1800 szt.
| ilość szt. | 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 7,0834 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 400mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 11A |
| Maksymalna tracona moc: | 35W |
| Obudowa: | TO220iso |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 800V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |