STF13N60M2
Symbol Micros:
TSTF13N60m2
Obudowa: TO220iso
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 380mOhm; 11A; 25W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 380mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 11A |
| Maksymalna tracona moc: | 25W |
| Obudowa: | TO220iso |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STF13N60M2 RoHS
Obudowa dokładna: TO220iso
karta katalogowa
Stan magazynowy:
188 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,4900 | 4,1900 | 3,4700 | 3,0400 | 2,8900 |
Producent: ST
Symbol producenta: STF13N60M2
Obudowa dokładna: TO220iso
Magazyn zewnetrzny:
2050 szt.
| ilość szt. | 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,8900 |
Producent: ST
Symbol producenta: STF13N60M2
Obudowa dokładna: TO220iso
Magazyn zewnetrzny:
3650 szt.
| ilość szt. | 250+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,8900 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 380mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 11A |
| Maksymalna tracona moc: | 25W |
| Obudowa: | TO220iso |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 25V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |