STF14NM50N
Symbol Micros:
TSTF14NM50n
Obudowa: TO220iso
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 25V; 320mOhm; 12A; 25W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 320mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 12A |
| Maksymalna tracona moc: | 25W |
| Obudowa: | TO220iso |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 500V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STF14NM50N RoHS
Obudowa dokładna: TO220iso
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 6,7800 | 5,4100 | 4,6300 | 4,1600 | 3,9900 |
Producent: ST
Symbol producenta: STF14NM50N
Obudowa dokładna: TO220iso
Magazyn zewnetrzny:
420 szt.
| ilość szt. | 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,9900 |
Producent: ST
Symbol producenta: STF14NM50N
Obudowa dokładna: TO220iso
Magazyn zewnetrzny:
950 szt.
| ilość szt. | 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,9900 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 320mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 12A |
| Maksymalna tracona moc: | 25W |
| Obudowa: | TO220iso |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 500V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 25V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |