STF5NK100Z

Symbol Micros: TSTF5NK100z
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220iso
Tranzystor N-MOSFET; 1000V; 30V; 3,7Ohm; 3,5A; 30W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 3,7Ohm
Maksymalny prąd drenu: 3,5A
Maksymalna tracona moc: 30W
Obudowa: TO220iso
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 1000V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ST Symbol producenta: STF5NK100Z RoHS Obudowa dokładna: TO220iso karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 8,4800 6,9400 6,0500 5,5000 5,3000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Rezystancja otwartego kanału: 3,7Ohm
Maksymalny prąd drenu: 3,5A
Maksymalna tracona moc: 30W
Obudowa: TO220iso
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 1000V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT