STF7NM60N
Symbol Micros:
TSTF7NM60n
Obudowa: TO220iso
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 900mOhm; 5A; 20W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 900mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 5A |
Maksymalna tracona moc: | 20W |
Obudowa: | TO220iso |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Rezystancja otwartego kanału: | 900mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 5A |
Maksymalna tracona moc: | 20W |
Obudowa: | TO220iso |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 25V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | THT |