STF9NK90Z
Symbol Micros:
TSTF9NK90z
Obudowa: TO220iso
Tranzystor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 1,3Ohm; 8A; 40W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 1,3Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 8A |
Maksymalna tracona moc: | 40W |
Obudowa: | TO220iso |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 900V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STF9NK90Z RoHS
Obudowa dokładna: TO220iso
karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 8,4800 | 6,7700 | 5,7900 | 5,2000 | 4,9900 |
Producent: ST
Symbol producenta: STF9NK90Z
Obudowa dokładna: TO220iso
Magazyn zewnetrzny:
2150 szt.
ilość szt. | 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 4,9900 |
Producent: ST
Symbol producenta: STF9NK90Z
Obudowa dokładna: TO220iso
Magazyn zewnetrzny:
5799 szt.
ilość szt. | 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 4,9900 |
Rezystancja otwartego kanału: | 1,3Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 8A |
Maksymalna tracona moc: | 40W |
Obudowa: | TO220iso |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 900V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | THT |