STFW3N150
Symbol Micros:
TSTFW3N150
Obudowa: TO 3Piso
Tranzystor N-Channel MOSFET; 1500V; 30V; 9Ohm; 2,5A; 63W; -50°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 9Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 2,5A |
Maksymalna tracona moc: | 63W |
Obudowa: | TO-3Piso |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 1500V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STFW3N150 RoHS
Obudowa dokładna: TO 3Piso
karta katalogowa
Stan magazynowy:
14 szt.
ilość szt. | 1+ | 4+ | 15+ | 30+ | 150+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 13,1400 | 11,4500 | 10,6600 | 10,4200 | 10,1100 |
Producent: ST
Symbol producenta: STFW3N150
Obudowa dokładna: TO 3Piso
Magazyn zewnetrzny:
27170 szt.
ilość szt. | 90+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 10,1100 |
Producent: ST
Symbol producenta: STFW3N150
Obudowa dokładna: TO 3Piso
Magazyn zewnetrzny:
6253 szt.
ilość szt. | 90+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 10,1100 |
Producent: ST
Symbol producenta: STFW3N150
Obudowa dokładna: TO 3Piso
Magazyn zewnetrzny:
402 szt.
ilość szt. | 90+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 10,1100 |
Rezystancja otwartego kanału: | 9Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 2,5A |
Maksymalna tracona moc: | 63W |
Obudowa: | TO-3Piso |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 1500V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
Temperatura pracy (zakres): | -50°C ~ 150°C |
Montaż: | THT |