STGB10NC60HD
Symbol Micros:
TSTGB10nc60hd
Obudowa: D2PAK
Trans IGBT ; 600V; 20V; 20A; 30A; 65W; 3,75V~5,75V; 19,2nC; -55°C~150°C; Odpowiednik: STGB10NC60HDT4;
Parametry
| Ładunek bramki: | 19,2nC |
| Maksymalna moc rozpraszana: | 65W |
| Maksymalny prąd kolektora: | 20A |
| Maksymalna prąd kolektora w impulsie: | 30A |
| Napięcie przewodzenia (Vgeth): | 3,75V ~ 5,75V |
| Obudowa: | D2PAK |
| Producent: | STMicroelectronics |
Producent: ST
Symbol producenta: STGB10NC60HDT4
Obudowa dokładna: D2PAK
Magazyn zewnętrzny:
2000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,6937 |
Producent: ST
Symbol producenta: STGB10NC60HDT4
Obudowa dokładna: D2PAK
Magazyn zewnętrzny:
430 szt.
| ilość szt. | 10+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,3828 |
| Ładunek bramki: | 19,2nC |
| Maksymalna moc rozpraszana: | 65W |
| Maksymalny prąd kolektora: | 20A |
| Maksymalna prąd kolektora w impulsie: | 30A |
| Napięcie przewodzenia (Vgeth): | 3,75V ~ 5,75V |
| Obudowa: | D2PAK |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Napięcie kolektor-emiter: | 600V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Napięcie bramka-emiter: | 20V |