STGD10NC60KDT4 STMicroelectronics
Symbol Micros:
TSTGD10nc60kdt4
Obudowa: DPAK
Trans IGBT ; 600V; 20V; 20A; 30A; 62W; 4,5V~6,5V; 19nC; -55°C~150°C;
Parametry
| Ładunek bramki: | 19nC |
| Maksymalna moc rozpraszana: | 62W |
| Maksymalny prąd kolektora: | 20A |
| Maksymalna prąd kolektora w impulsie: | 30A |
| Napięcie przewodzenia (Vgeth): | 4,5V ~ 6,5V |
| Obudowa: | DPAK |
| Producent: | STMicroelectronics |
Producent: ST
Symbol producenta: STGD10NC60KDT4 RoHS
Obudowa dokładna: DPAK t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 89+ | 267+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 6,6000 | 4,8900 | 4,2700 | 3,9800 | 3,8800 |
Producent: ST
Symbol producenta: STGD10NC60KDT4
Obudowa dokładna: DPAK
Magazyn zewnętrzny:
22500 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,8800 |
Producent: ST
Symbol producenta: STGD10NC60KDT4
Obudowa dokładna: DPAK
Magazyn zewnętrzny:
7500 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,8800 |
| Ładunek bramki: | 19nC |
| Maksymalna moc rozpraszana: | 62W |
| Maksymalny prąd kolektora: | 20A |
| Maksymalna prąd kolektora w impulsie: | 30A |
| Napięcie przewodzenia (Vgeth): | 4,5V ~ 6,5V |
| Obudowa: | DPAK |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Napięcie kolektor-emiter: | 600V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Napięcie bramka-emiter: | 20V |
| Montaż: | SMD |