STGW30V60DF STMicroelectronics
Symbol Micros:
TSTGW30v60df
Obudowa: TO247
Trans IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 258W; 5,0V~7,0V; 163nC; -55°C~175°C;
Parametry
Ładunek bramki: | 163nC |
Maksymalna moc rozpraszana: | 258W |
Maksymalny prąd kolektora: | 60A |
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: | 120A |
Napięcie przewodzenia (Vgeth): | 5,0V ~ 7,0V |
Obudowa: | TO247 |
Producent: | STMicroelectronics |
Producent: ST
Symbol producenta: STGW30V60DF
Obudowa dokładna: TO247
Magazyn zewnętrzny:
11160 szt.
ilość szt. | 30+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 6,2876 |
Producent: ST
Symbol producenta: STGW30V60DF
Obudowa dokładna: TO247
Magazyn zewnętrzny:
4470 szt.
ilość szt. | 30+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 5,8284 |
Producent: ST
Symbol producenta: STGW30V60DF
Obudowa dokładna: TO247
Magazyn zewnętrzny:
2170 szt.
ilość szt. | 30+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 4,5356 |
Ładunek bramki: | 163nC |
Maksymalna moc rozpraszana: | 258W |
Maksymalny prąd kolektora: | 60A |
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: | 120A |
Napięcie przewodzenia (Vgeth): | 5,0V ~ 7,0V |
Obudowa: | TO247 |
Producent: | STMicroelectronics |
Napięcie kolektor-emiter: | 600V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
Napięcie bramka-emiter: | 20V |
Montaż: | THT |