STN1NK60Z
Symbol Micros:
TSTN1nk60z
Obudowa: SOT223t/r
Tranzystor N-MOSFET; 600V; 30V; 15Ohm; 300mA; 3,3W; -55°C ~ 150°C; Trans MOSFET N-CH 600V 0.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 15Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 300mA |
Maksymalna tracona moc: | 3,3W |
Obudowa: | SOT223t/r |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STN1NK60Z RoHS
Obudowa dokładna: SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1855 szt.
ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 1,8700 | 1,0300 | 0,8100 | 0,7500 | 0,7190 |
Producent: ST
Symbol producenta: STN1NK60Z
Obudowa dokładna: SOT223t/r
Magazyn zewnetrzny:
48000 szt.
ilość szt. | 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,7190 |
Producent: ST
Symbol producenta: STN1NK60Z
Obudowa dokładna: SOT223t/r
Magazyn zewnetrzny:
124000 szt.
ilość szt. | 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,7190 |
Producent: ST
Symbol producenta: STN1NK60Z
Obudowa dokładna: SOT223t/r
Magazyn zewnetrzny:
276000 szt.
ilość szt. | 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,7190 |
Rezystancja otwartego kanału: | 15Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 300mA |
Maksymalna tracona moc: | 3,3W |
Obudowa: | SOT223t/r |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |