STN3N40K3
Symbol Micros:
TSTN3N40K3
Obudowa: SOT223
Tranzystor N-Channel MOSFET; 400V; 30V; 3,4Ohm; 1,8A; 3,3W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 3,4Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,8A |
| Maksymalna tracona moc: | 3,3W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 400V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STN3N40K3 RoHS
Obudowa dokładna: SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
25 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,0500 | 1,2400 | 0,9550 | 0,8620 | 0,8200 |
Producent: ST
Symbol producenta: STN3N40K3
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
56000 szt.
| ilość szt. | 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,8200 |
Producent: ST
Symbol producenta: STN3N40K3
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
16000 szt.
| ilość szt. | 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,8200 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 3,4Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,8A |
| Maksymalna tracona moc: | 3,3W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 400V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |