STN3N45K3 SOT223

Symbol Micros: TSTN3n45k3
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT223
Tranzystor N-MOSFET; 450V; 30V; 4Ohm; 600mA; 3W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 4Ohm
Maksymalny prąd drenu: 600mA
Maksymalna tracona moc: 3W
Obudowa: SOT223
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 450V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ST Symbol producenta: STN3N45K3 RoHS Obudowa dokładna: SOT223 karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,8700 1,0300 0,8110 0,7510 0,7200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Producent: ST Symbol producenta: STN3N45K3 Obudowa dokładna: SOT223  
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt.
ilość szt. 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,7200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ST Symbol producenta: STN3N45K3 Obudowa dokładna: SOT223  
Magazyn zewnetrzny:
28000 szt.
ilość szt. 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,7200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ST Symbol producenta: STN3N45K3 Obudowa dokładna: SOT223  
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt.
ilość szt. 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,7200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 4Ohm
Maksymalny prąd drenu: 600mA
Maksymalna tracona moc: 3W
Obudowa: SOT223
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 450V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD