STN3NF06L

Symbol Micros: TSTN3nf06l
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT223
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 16V; 120mOhm; 4A; 3,3W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 120mOhm
Maksymalny prąd drenu: 4A
Maksymalna tracona moc: 3,3W
Obudowa: SOT223
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ST Symbol producenta: STN3NF06L RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
0 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 2,6700 1,6700 1,3900 1,2400 1,1600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Producent: ST Symbol producenta: STN3NF06L Obudowa dokładna: SOT223  
Magazyn zewnetrzny:
180000 szt.
ilość szt. 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,1600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ST Symbol producenta: STN3NF06L Obudowa dokładna: SOT223  
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt.
ilość szt. 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,1600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 120mOhm
Maksymalny prąd drenu: 4A
Maksymalna tracona moc: 3,3W
Obudowa: SOT223
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 16V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD