STN4NF03L
Symbol Micros:
TSTN4NF03L
Obudowa: SOT223-4
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 16V; 60mOhm; 6,5A; 3,3W; -55°C ~ 150°C; HSL3002; STN4NF03L-VB; STN4NF03L;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 60mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 6,5A |
Maksymalna tracona moc: | 3,3W |
Obudowa: | SOT223-4 |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STN4NF03L RoHS
Obudowa dokładna: SOT223-4 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 600+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 2,2500 | 1,3500 | 1,0400 | 0,9340 | 0,8980 |
Producent: ST
Symbol producenta: STN4NF03L
Obudowa dokładna: SOT223-4
Magazyn zewnetrzny:
236000 szt.
ilość szt. | 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,8980 |
Producent: ST
Symbol producenta: STN4NF03L
Obudowa dokładna: SOT223-4
Magazyn zewnetrzny:
28000 szt.
ilość szt. | 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,8980 |
Rezystancja otwartego kanału: | 60mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 6,5A |
Maksymalna tracona moc: | 3,3W |
Obudowa: | SOT223-4 |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 16V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |