STP100N6F7

Symbol Micros: TSTP100N6F7
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
N-MOSFET 100A 60V 125W 0.056Ω
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 5,6mOhm
Maksymalny prąd drenu: 100A
Maksymalna tracona moc: 125W
Obudowa: TO220
Producent: ST
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ST Symbol producenta: STP100N6F7 Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
2600 szt.
ilość szt. 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,9300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ST Symbol producenta: STP100N6F7 RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 6,6800 5,3300 4,5600 4,1000 3,9300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Producent: ST Symbol producenta: STP100N6F7 Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
1950 szt.
ilość szt. 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,9300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ST Symbol producenta: STP100N6F7 Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
217150 szt.
ilość szt. 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,9300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 5,6mOhm
Maksymalny prąd drenu: 100A
Maksymalna tracona moc: 125W
Obudowa: TO220
Producent: ST
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT