STP100N6F7
Symbol Micros:
TSTP100N6F7
Obudowa: TO220
N-MOSFET 100A 60V 125W 0.056Ω
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 5,6mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 100A |
Maksymalna tracona moc: | 125W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | ST |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STP100N6F7
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
2600 szt.
ilość szt. | 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 3,9300 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP100N6F7 RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 6,6800 | 5,3300 | 4,5600 | 4,1000 | 3,9300 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP100N6F7
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
1950 szt.
ilość szt. | 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 3,9300 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP100N6F7
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
217150 szt.
ilość szt. | 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 3,9300 |
Rezystancja otwartego kanału: | 5,6mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 100A |
Maksymalna tracona moc: | 125W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | ST |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
Montaż: | THT |