STP10NK60Z
Symbol Micros:
TSTP10NK60Z
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 115W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 750mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 10A |
Maksymalna tracona moc: | 115W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STP10NK60Z RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
ilość szt. | 1+ | 5+ | 50+ | 100+ | 400+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 5,6800 | 3,9800 | 3,1800 | 3,0900 | 2,9900 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP10NK60Z
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
18500 szt.
ilość szt. | 250+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 2,9900 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP10NK60Z
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
12850 szt.
ilość szt. | 250+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 2,9900 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP10NK60Z
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
4208 szt.
ilość szt. | 250+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 2,9900 |
Rezystancja otwartego kanału: | 750mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 10A |
Maksymalna tracona moc: | 115W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | THT |