STP10NK60Z
Symbol Micros:
TSTP10NK60Z
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 115W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 750mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 10A |
| Maksymalna tracona moc: | 115W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STP10NK60Z RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
45 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 50+ | 250+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 6,2700 | 4,3700 | 3,7100 | 3,4900 | 3,3000 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP10NK60Z
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
8850 szt.
| ilość szt. | 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,3000 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP10NK60Z
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
2308 szt.
| ilość szt. | 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,3000 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 750mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 10A |
| Maksymalna tracona moc: | 115W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |