|
Rezystancja otwartego kanału:
|
750mOhm |
|
Maksymalny prąd drenu:
|
10A |
|
Maksymalna tracona moc:
|
35W |
|
Obudowa:
|
TO220iso |
|
Producent:
|
STMicroelectronics |
|
Maksymalne napięcie dren-źródło:
|
600V |
|
Typ tranzystora:
|
N-MOSFET |
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło:
|
30V |
|
Temperatura pracy (zakres):
|
-55°C ~ 150°C |
|
Montaż:
|
THT |
Opis szczegółowy
STP10NK60ZFP to tranzystor mocy MOSFET z kanałem typu N, przeznaczony do pracy w obwodach o wysokim napięciu i dużym obciążeniu. Charakteryzuje się maksymalnym napięciem dren-źródło wynoszącym 600V oraz maksymalnym prądem drenu na poziomie 10A. Dzięki tym parametrom doskonale nadaje się do zastosowań w zasilaczach impulsowych, przekształtnikach energii oraz układach sterowania silnikami.
Tranzystor STP10NK60ZFP wykorzystuje technologię SuperMESH™, która zapewnia niską rezystancję w stanie włączenia (poniżej 750mOhm), zwiększając efektywność energetyczną i redukując straty mocy. Dzięki wbudowanej ochronie Zener-protected na bramce tranzystor jest zabezpieczony przed przepięciami, a wysoka zdolność przenoszenia energii w trybie lawinowym oraz duża odporność na szybkie zmiany napięcia (dv/dt), czyni go niezawodnym rozwiązaniem nawet w najbardziej wymagających aplikacjach.
STP10NK60ZFP pracuje w szerokim zakresie temperatur od -55°C do +150°C, co umożliwia jego zastosowanie w trudnych środowiskach przemysłowych. Obudowa TO220iso z izolacją termiczną zapewnia efektywne odprowadzanie ciepła oraz bezpieczną izolację elektryczną, co upraszcza montaż i zwiększa bezpieczeństwo.
