STP10NK70ZFP
Symbol Micros:
TSTP10NK70ZFP
Obudowa: TO220iso
N-MOSFET 8.6A 700V 35W 0.85Ω
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 850mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 8,6A |
| Maksymalna tracona moc: | 35W |
| Obudowa: | TO220FP |
| Producent: | ST |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 700V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 700V |
Producent: ST
Symbol producenta: STP10NK70ZFP RoHS
Obudowa dokładna: TO220iso
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 7,2800 | 5,8000 | 4,9700 | 4,4600 | 4,2800 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP10NK70ZFP
Obudowa dokładna: TO220iso
Magazyn zewnetrzny:
2950 szt.
| ilość szt. | 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,2800 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP10NK70ZFP
Obudowa dokładna: TO220iso
Magazyn zewnetrzny:
25450 szt.
| ilość szt. | 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,2800 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 850mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 8,6A |
| Maksymalna tracona moc: | 35W |
| Obudowa: | TO220FP |
| Producent: | ST |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 700V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 700V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |