STP10NK80Z
Symbol Micros:
TSTP10NK80Z
Obudowa: TO220
Tranzystor N-MOSFET; 800V; 800V; 30V; 900mOhm; 9A; 160W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 900mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 9A |
| Maksymalna tracona moc: | 160W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 800V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 800V |
Producent: ST
Symbol producenta: STP10NK80Z RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
15 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 9,9200 | 8,3200 | 7,3900 | 6,8200 | 6,6100 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP10NK80Z
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
3350 szt.
| ilość szt. | 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 6,6100 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP10NK80Z
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
2296 szt.
| ilość szt. | 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 6,6100 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 900mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 9A |
| Maksymalna tracona moc: | 160W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 800V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 800V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |