STP10P6F6
Symbol Micros:
TSTP10P6F6
Obudowa: TO220
Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 160mOhm; 10A; 30W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 160mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 10A |
| Maksymalna tracona moc: | 30W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STP10P6F6 RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,0100 | 1,9100 | 1,5100 | 1,3700 | 1,3100 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP10P6F6
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
3 szt.
| ilość szt. | 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,2825 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP10P6F6
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
550 szt.
| ilość szt. | 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,2007 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP10P6F6
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
480 szt.
| ilość szt. | 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,5977 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 160mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 10A |
| Maksymalna tracona moc: | 30W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |