STP11NM60ND

Symbol Micros: TSTP11NM60ND
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor N-MOSFET; 650V; 25V; 450mOhm; 10A; 90W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 450mOhm
Maksymalny prąd drenu: 10A
Maksymalna tracona moc: 90W
Obudowa: TO220
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 650V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ST Symbol producenta: STP11NM60ND Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
950 szt.
ilość szt. 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,0646
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ST Symbol producenta: STP11NM60ND Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
2155 szt.
ilość szt. 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,6568
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 450mOhm
Maksymalny prąd drenu: 10A
Maksymalna tracona moc: 90W
Obudowa: TO220
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 650V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 25V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta