STP12NM50FP
Symbol Micros:
TSTP12NM50FP
Obudowa: TO220iso
Tranzystor N-MOSFET; 550V; 30V; 350mOhm; 12A; 35W; -65°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 350mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 12A |
| Maksymalna tracona moc: | 35W |
| Obudowa: | TO220iso |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 550V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STP12NM50FP RoHS
Obudowa dokładna: TO220iso
karta katalogowa
Stan magazynowy:
16 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 50+ | 100+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 9,5700 | 7,3500 | 6,2500 | 6,1100 | 5,9800 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP12NM50FP
Obudowa dokładna: TO220iso
Magazyn zewnetrzny:
23000 szt.
| ilość szt. | 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,9800 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP12NM50FP
Obudowa dokładna: TO220iso
Magazyn zewnetrzny:
4500 szt.
| ilość szt. | 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,9800 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 350mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 12A |
| Maksymalna tracona moc: | 35W |
| Obudowa: | TO220iso |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 550V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |