STP13N80K5 STMicroelectronics
Symbol Micros:
TSTP13N80k5
Obudowa: TO220
Tranzystor N-MOSFET; 800V; 30V; 450mOhm; 12A; 190W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 450mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 12A |
| Maksymalna tracona moc: | 190W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 800V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STP13N80K5 RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 10,9200 | 9,4400 | 8,5600 | 8,0100 | 7,8000 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP13N80K5
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
90 szt.
| ilość szt. | 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 10,6288 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP13N80K5
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt.
| ilość szt. | 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 7,8000 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP13N80K5
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
4850 szt.
| ilość szt. | 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 7,8000 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 450mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 12A |
| Maksymalna tracona moc: | 190W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 800V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |