STP13NK60Z

Symbol Micros: TSTP13NK60Z
Obudowa: TO220
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 550mOhm; 13A; 150W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 550mOhm
Maksymalny prąd drenu: 13A
Maksymalna tracona moc: 150W
Obudowa: TO220
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 600V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ST Symbol producenta: STP13NK60Z RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
15 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 50+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 8,9400 6,8700 5,8400 5,7100 5,5900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/100
Producent: ST Symbol producenta: STP13NK60Z Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
3400 szt.
ilość szt. 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 5,5900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ST Symbol producenta: STP13NK60Z Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
3100 szt.
ilość szt. 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 5,5900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ST Symbol producenta: STP13NK60Z Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
10450 szt.
ilość szt. 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 5,5900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 550mOhm
Maksymalny prąd drenu: 13A
Maksymalna tracona moc: 150W
Obudowa: TO220
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 600V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT