STP13NK60ZFP
Symbol Micros:
TSTP13NK60ZFP
Obudowa: TO220iso
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 550mOhm; 13A; 35W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 550mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 13A |
| Maksymalna tracona moc: | 35W |
| Obudowa: | TO220iso |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STP13NK60ZFP RoHS
Obudowa dokładna: TO220iso
karta katalogowa
Stan magazynowy:
0 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 50+ | 100+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 8,4800 | 6,2900 | 5,2400 | 5,1100 | 4,9900 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP13NK60ZFP
Obudowa dokładna: TO220iso
Magazyn zewnetrzny:
1200 szt.
| ilość szt. | 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,4788 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP13NK60ZFP
Obudowa dokładna: TO220iso
Magazyn zewnetrzny:
260 szt.
| ilość szt. | 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,9900 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 550mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 13A |
| Maksymalna tracona moc: | 35W |
| Obudowa: | TO220iso |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |