STP13NM60N
Symbol Micros:
TSTP13NM60N
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 360mOhm; 11A; 90W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 360mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 11A |
| Maksymalna tracona moc: | 90W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STP13NM60N RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
25 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 7,6300 | 6,0900 | 5,2100 | 4,6800 | 4,4900 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP13NM60N
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
1350 szt.
| ilość szt. | 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,4900 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP13NM60N
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt.
| ilość szt. | 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,4900 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 360mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 11A |
| Maksymalna tracona moc: | 90W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 25V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |